CurvoStudio

Modelo atual·Junções semicondutoras

Diodo de junção P – N

Veja como a região de esgotamento permite a corrente direta, bloqueia a corrente reversa e altera durante a ruptura.
Desligar · Pronto0,0 é / 15 é
Desligar
↖ Arraste para girar
Região tipo PRegião tipo NRegião de esgotamentoBanda catódica
Região operacionalDesligar
Tensão de junção0 V
Corrente de diodo0 mA
Temperatura de junção25 °C

Experimento de polarização de junção

Características do diodo I – V

Inspecione a curva direta exponencial e a região de ruptura reversa de forma independente.

Ponto de operação ao vivoAplique energia para gerar as curvas
Característica diretaAumento atual exponencial sob polarização direta
00 µA0,352,5 mA0,5105 mA0,8157,5 mA1210 mAAplique energia para gerar as curvas
Característica reversaVazamento e quebra de avalanche sob polarização reversa
-115-210 mA-86,2-157,5 mA-57,5-105 mA-28,8-52,5 mA00 µAAplique energia para gerar as curvas