CurvoStudio

Modelo actual·Semiconductores de potencia

MOSFET de canal N

Vea cómo el voltaje de la compuerta crea un canal conductor y controla la corriente de drenaje entre la fuente y el drenaje.
Apagado · Listo0,0 s / 15 s
Apagar
Arrastrar para rotar
Región operativaApagar
Drenar corriente0 A
Transconductancia0 S
Disipación de energía0 W

Experimento de características estáticas.

Curvas características MOSFET

Cambie VGS y VDS para mover el punto de operación y observar el comportamiento del canal.

Punto de operación en vivoAplicar energía para generar las curvas.
Características de salida · ID–VDSCurvas a diferentes voltajes de puerta.
0055101015152020VDS (V)ID (A)Aplicar energía para generar las curvas.
Característica de transferencia · ID–VGSCorriente de drenaje por encima del voltaje umbral
00531051582010VGS (V)ID (A)Aplicar energía para generar las curvas.